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用語解説
用語解説
- ・CVD装置 (Chemical Vapor Deposition System)
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化学的気相蒸着法を用いた薄膜形成装置。薄膜材料を構成する元素からなる1種または数種の化合物ガス、単体ガスをウェーハ上に供給し、気相またはウェーハ表面での化学反応により書房の薄膜を形成させる装置。ガス分子を励起させるには一般的には、熱エネルギーやプラズマ放電を用いる。最近では光(レーザー、紫外線など)励起のCVD装置も実用化されつつある。
- ・TEOS
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化学式：Tetra-Ethyl-Ortho-Silicate, Si(OCH2CH3)4
- ・アッシング装置
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ウェーハ上のレジストを気相中で除去する装置
- ・エッチング装置
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ウェーハまたはウェーハ表面上に形成された薄膜の全面または特定した場所を必要な厚さだけ食刻する装置
- ・ステップカバレージ
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LSIなどの半導体素子薄膜の表面における微細な段差部での膜の被着状態。段差部での被着状態によっては、回路の断線不良などに直接影響し、製品の歩留まり、品質低下の原因となる。
- ・スループット
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単位時間内に処理できるウェーハなどの基板の数量
- ・枚様式
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ウェーハを1枚ずつ処理する方式⇔複数枚同時処理(バッチ式)
