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海外取扱製品

独自技術の赤外線技術と顕微鏡技術を組み合わせたメトロロジーソリューション1台で幅広いアプリケーションの測定が可能です。

3D IC/TSVのプロセスステップに対応可能です。
また、SOI waferへの対応も可能です。

R&Dから量産まで対応、2インチ~12インチ基板に対応

適応分野

■TSV深さ測定による深さ制御

特許技術を用いたTSV深度及び直径の測定。
パターン認識を適用可能、A/Rの制限なし。

■テンポラリーキャリア上のwafer及びwafer薄化プロセス制御

独自の赤外線技術と白色顕微鏡技術及び共焦点・色収差技術を用いた厚さ、TTV(Total Thickness variation)、
バウ/ワープ、ボンディング検査、エッジトリム寸法制御、裏面粗さ。

■裏面加工時のRST(Remaining Silicon Thickness)測定

独自の赤外線技術とIR顕微鏡技術を用いたRST測定、waferの厚みとTSVの金属充填深度も同時に測定できます。

■チップ積層時のアライメントおよび欠陥検査におけるチップ間距離の測定

独自の赤外線技術と白色顕微鏡技術及び界面検査を組み合わせた測定。

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TEL:03-3478-3536 FAX:03-3402-4838

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